SI2308DS-T1-E3


N-Ch 60V 2A 1,25W 0,16R

Купить SI2308DS-T1-E3 по цене 54.80 руб.  (без НДС 20%)
SI2308DS-T1-E3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI2308DS-T1-E3 цена радиодетали 54.80 

Версия для печати

Технические характеристики SI2308DS-T1-E3

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds240pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160 mOhm @ 2A, 10V
КорпусSOT-23-3 (TO-236)
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаПоверхностный
Power - Max1.25W
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si2308DS

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Также в этом файле: SI2308DS-T1-E3, Si2308DS-T1--E3

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

SI2308DS-T1-E3 datasheet
83.5Kb
5стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход