2SC2570A
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SC2570A (Дискретные сигналы) High Frequency Low Noise Amplifier Npn Silicon Epitaxial Transistor Также в этом файле: 2SC2570A-T
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECAP (К50-35 МИНИ), 10 МКФ, 16 В, 105°, 4X5ММ | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| ICSS-30 (1.78MM) | AUK |
|
|
|||||
| ICSS-30 (1.78MM) |
|
33.24 | ||||||
| ICSS-30 (1.78MM) | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ICSS-30 (1.78MM) | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| R1001N12B1, 10 КОМ | SONG HUEI |
|
|
|||||
 |
 |
КТ361Б ЗЕЛЕН. |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | НАЛЬЧИК |
|
|
|
|
|
|
КТ361Б ЗЕЛЕН. |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | ТОМСК |
|
|
|
|
|
|
КТ361Б ЗЕЛЕН. |
|
Транзистор структуры PNP усилительный |
|
|
||
| УМС8-07 |
|
|
||||||
| УМС8-07 | МИНСК |
|
|
