NCP1203D60R2G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NCP1203D60R2G		134.00
NCP1203D60R2G (4-7 НЕДЕЛЬ)	116	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NCP1203D60R2G

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SANYO	4	160.06
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт		1	127.26
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SAN
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISC
BA9741F-E2		ROHM
BA9741F-E2				120.40
BA9741F-E2		ROHM	8 843
BA9741F-E2		Rohm Semiconductor
BA9741F-E2		4-7 НЕДЕЛЬ	336
IRFU9024NPBF	Транзистор MOSFET, P-канал, Vси = -60В, Rоткр = 0.28 Ом, Ic = -8.8A, 42Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFU9024NPBF	Транзистор MOSFET, P-канал, Vси = -60В, Rоткр = 0.28 Ом, Ic = -8.8A, 42Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFU9024NPBF	Транзистор MOSFET, P-канал, Vси = -60В, Rоткр = 0.28 Ом, Ic = -8.8A, 42Вт	INFINEON
IRFU9024NPBF	Транзистор MOSFET, P-канал, Vси = -60В, Rоткр = 0.28 Ом, Ic = -8.8A, 42Вт
KBP206G		DIODES
KBP206G				76.00
KBP206G		Diodes Inc
KBP206G		DC COMPONENTS
KBP206G		DIODES INC.	274
KBP206G		YJ
KBP206G
TOP246FN		Power Integrations
TOP246FN
TOP246FN		PWR
TOP246FN
TOP246FN		4-7 НЕДЕЛЬ	604