Версия для печати
Технические характеристики B32923C3105M

Температурный коэфициент	X7R
Номинальное напряжение	305 ВAC
Емкость	1 мкФ
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Пленочный
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MKP B32923
Voltage - AC	305V
Voltage - DC	630V
Dielectric Material	Polypropylene, Metallized
Допустимые отклонения емкости	±20%
Tolerance	±20%
Рабочая температура	-40°C ~ 110°C
Size / Dimension	1.043" L x 0.433" W (26.50mm x 11.00mm)
Высота	0.807" (20.50mm)
Termination	PC Pins
Lead Spacing	0.886" (22.50mm)
Возможности	EMI Suppression

Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20% B32923C3105M datasheet 382,59kB 23стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Пленочные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NXP
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS	1 533	1.48
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DC COMPONENTS	949	1.48
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВТР
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC	16 704	1.14  >500 шт.   0.38
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ST MICROELECTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MIC	40 203	1.06  >100 шт.   0.53
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DI
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	БРЕСТ
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	2 195
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NXP
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	OTHER	204
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	Fairchild Semiconductor
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	Micro Commercial Co
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	КИТАЙ
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS SEMIC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MCC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FSC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS	279	1.28  >100 шт.   0.64
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В		142 891	1.60
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KINGTRONICS	176 000	1.97
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NEXPERIA	37 818	1.28  >100 шт.   0.64
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SEMTECH	202 960	1.28  >100 шт.   0.64
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ONS	150 487	1.07
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YJ	77 600	1.96  >100 шт.   0.98
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KATO	800
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SEHTECH
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ONS-FAIR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY ME	251 649	1.38
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	55 172
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 248	7.39
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	3 184	2.51
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC	8	2.69
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	3 700	1.59
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC	72	3.25
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		B32922C3224M		Пленочный конденсатор полипропиленовый 305 В, 0.22Ф; ±20%, Шаг: 15 мм	EPCOS	5 032	11.44
		B32922C3224M		Пленочный конденсатор полипропиленовый 305 В, 0.22Ф; ±20%, Шаг: 15 мм
		B32922C3224M		Пленочный конденсатор полипропиленовый 305 В, 0.22Ф; ±20%, Шаг: 15 мм	EPCOS
		B32922C3224M		Пленочный конденсатор полипропиленовый 305 В, 0.22Ф; ±20%, Шаг: 15 мм	EPCOS Inc
		B32922C3224M		Пленочный конденсатор полипропиленовый 305 В, 0.22Ф; ±20%, Шаг: 15 мм	КИТАЙ
		B32922C3224M		Пленочный конденсатор полипропиленовый 305 В, 0.22Ф; ±20%, Шаг: 15 мм	TDK EPCOS	528	11.81
		B32922C3224M		Пленочный конденсатор полипропиленовый 305 В, 0.22Ф; ±20%, Шаг: 15 мм	TDK
		B32923C3684M		Пленочный конденсатор полиэстеровый металлизированный 0.68 мкФ, 305/630 В, 5%	EPCOS	8 952	20.79
		B32923C3684M		Пленочный конденсатор полиэстеровый металлизированный 0.68 мкФ, 305/630 В, 5%
		B32923C3684M		Пленочный конденсатор полиэстеровый металлизированный 0.68 мкФ, 305/630 В, 5%	EPCOS Inc
		B32923C3684M		Пленочный конденсатор полиэстеровый металлизированный 0.68 мкФ, 305/630 В, 5%	ИНДИЯ
		B32923C3684M		Пленочный конденсатор полиэстеровый металлизированный 0.68 мкФ, 305/630 В, 5%	EPCOS
		B32923C3684M		Пленочный конденсатор полиэстеровый металлизированный 0.68 мкФ, 305/630 В, 5%	TDK
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	26 662	5.67
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR	30	22.63

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2019 АО "Контест"