KSC1008Y
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 700mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA, 2V |
| Power - Max | 800mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
KSC1008 (Импульсные биполярные NPN транзисторы) NPN Epitaxial Silicon Transistor Также в этом файле: KSC1008Y
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5 W 10 OHM | КИТАЙ |
|
|
|||||
| 5 W 10 OHM | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| BAS316/T1 | NXP |
|
|
|||||
| BAS316/T1 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| BCV62A | NXP |
|
|
|||||
| BCV62A |
|
|
||||||
| DAP018A |
|
|
||||||
| DAP018A | ONS |
|
|
|||||
 |
 |
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W |
|
|
