ICE3B1565


SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=1.5A, Pout=W

Купить ICE3B1565 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
ICE3B1565
Версия для печати

Технические характеристики ICE3B1565

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияCoolSET®F3
Изоляция выходаIsolated
Частотный диапозон61 ~ 73kHz
Напряжение входное8.5 V ~ 22 V
Напряжение выходное650V
Мощность (Ватт)42W
Рабочая температура-40°C ~ 150°C
Корпус (размер)8-DIP (0.300", 7.62mm)
КорпусPG-DIP-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    GT60N321     TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    GT60N321       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    GT60N321     TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   INTERSIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)     1 348.00 
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   КОРЕЯ РЕСПУБЛИК Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   ONS-FAIR 140 99.85 
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   ONS 167 180.32 
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  ICE3B0565 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.5A, Pout=W   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
  ICE3B0565 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.5A, Pout=W     1 108.00 
  ICE3B0565 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.5A, Pout=W   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
ICE3B1065   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
ICE3B1065   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
ICE3B1065     Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFBA1405P N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFBA1405P N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт     Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFBA1405P N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход