BSS83P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSS83P		14.12

Версия для печати

Технические характеристики BSS83P

Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 330mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	330mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 80µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	78pF @ 25V
Power - Max	360mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	PG-SOT23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSS83P (Полевые МОП транзисторы)

SIPMOS and#174; Small-Signal-Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

BSS83P datasheet
98.53Kb
9стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
2SK2651	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W)	FUJITSU
2SK2651	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W)	FUJI ELECTRIC
2SK2651	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W)	FUJI
2SK2651	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W)	FUJ
2SK2651	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W)		124.24
2SK2651	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W)	СИНГАПУР
CA25-12EWA	Светодиодный дисплей	KB
CA25-12EWA	Светодиодный дисплей	KINGBRIGHT
CA25-12EWA	Светодиодный дисплей		150.24
CA25-12EWA	Светодиодный дисплей	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CA25-12EWA	Светодиодный дисплей	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CA25-12EWA	Светодиодный дисплей	КИТАЙ
CF-0.125-1.0M 5%	Резистор углеродистый 0,125Вт, 1МОм, 5%	CHINA
CF-0.125-1.0M 5%	Резистор углеродистый 0,125Вт, 1МОм, 5%		1.20 >500 шт. 0.40