Версия для печати
Технические характеристики 1000МКФ 50В (13X25)

Номинальное напряжение	50В
Емкость	1000 мкФ
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		22МКФ 50 (8Х10.2)105°C
		470МКФ 50 В (13X25) 105°C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В			72.00
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...		1 840	22.67
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	4
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INFINEON
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	IR/VISHAY
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	SLKOR
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	JSMICRO	3 504	35.25
		VND14NV04-E			ST MICROELECTRONICS	3	121.54
		VND14NV04-E			STMicroelectronics
		VND14NV04-E					141.80
		VND14NV04-E			ST MICROELECTRO
		КТ603Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN		1 049	56.10
		КТ603Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	МИНСК
		КТ603Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	ПЛАНЕТА	128	157.44
		КТ603Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	ВОРОНЕЖ
		КТ603Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"