MUN5111DW1T1G


Купить MUN5111DW1T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MUN5111DW1T1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MUN5111DW1T1G (ON SEMICONDUCTOR.) 579 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MUN5111DW1T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor Type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
Product Change NotificationWire Change 08/Jun/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход