| SCR Type | Sensitive Gate |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Off State | 600V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
| Current - On State (It (AV)) (Max) | 630mA |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 1A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
| Current - Off State (Max) | 100µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 8A, 9A |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 791
|
1.60
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
42 822
|
2.31
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
27 109
|
1.67
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
144
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
14 128
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 312
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
74 060
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
1 253 528
|
1.23
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 920
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
171 281
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
9 600
|
1.03
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
168 000
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
792
|
1.40
|
|
|
|
|
BCR512 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,5A 0,33W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BCR512 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,5A 0,33W
|
|
|
7.52
|
|
|
|
|
BCR512 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,5A 0,33W
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BCR512 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,5A 0,33W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BCR512 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,5A 0,33W
|
INTILON
|
|
|
|
|
|
|
FSD210 |
|
Автономный переключатель электропитания, с интегрированным широтно-импульсным ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FSD210 |
|
Автономный переключатель электропитания, с интегрированным широтно-импульсным ...
|
|
|
144.00
|
|
|
|
|
FSD210 |
|
Автономный переключатель электропитания, с интегрированным широтно-импульсным ...
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FSD210 |
|
Автономный переключатель электропитания, с интегрированным широтно-импульсным ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FSD210 |
|
Автономный переключатель электропитания, с интегрированным широтно-импульсным ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FSD210 |
|
Автономный переключатель электропитания, с интегрированным широтно-импульсным ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FSD210 |
|
Автономный переключатель электропитания, с интегрированным широтно-импульсным ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FSD210 |
|
Автономный переключатель электропитания, с интегрированным широтно-импульсным ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
PZTA44 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PZTA44 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PZTA44 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
19.40
|
|
|
|
|
PZTA44 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PZTA44 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
PHILIPS
|
1 588
|
|
|
|
|
|
PZTA44 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
TOP245YN/6 |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC, Pвых 85W, Umax 700V, Imax 1,926A
|
|
|
|
|
Версия для печати
