Версия для печати
Технические характеристики SS050M2R20B1F-0407

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	50 В
Шаг выводов	1.5 мм
Срок службы	1000 Ч
Размер корпуса	ф 4x7
Рабочая температура	-40...105 °C
	For Super Miniature
Емкость	2.2 мкФ
Серия	SS
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	26.55
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)			13.00
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	INTERNATIONAL RECTIFIER	28
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	МЕКСИКА
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	INFINEON
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	HOTTECH	490 025	3.75
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	KLS
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	YOUTAI
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	KEEN SIDE	16 408	2.23
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	21
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	RUME	12 000	1.37
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	TRR	9 600	2.68
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	ST MICROELECTRONICS	2 754	12.25
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	UTC
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...		1 321	21.33
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI	3 941
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	STMicroelectronics
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	64
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	180
		PESD12VS2UT,215			NXP Semiconductors
		PESD12VS2UT,215			NXP
		PESD12VS2UT,215			NEX
		PESD12VS2UT,215
		PESD12VS2UT,215			NEX-NXP	15	8.27
		PRTR5V0U2X.215			NXP
		PRTR5V0U2X.215			NEX-NXP
		PRTR5V0U2X.215
		PRTR5V0U2X.215			NXP/NEXPERIA	30	10.99
		КТ815В		Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А		958	27.60
		КТ815В		Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	КРЕМНИЙ	800	32.79
		КТ815В		Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	БРЯНСК	5 244	39.06
		КТ815В		Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	МИНСК
		КТ815В		Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	УЛЬЯНОВСК
		КТ815В		Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	ИНТЕГРАЛ
		КТ815В		Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	1749
		КТ815В		Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	5000

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"