|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AMC1117-3.3SKFT |
|
|
ADD MICROTECH CORPORATION
|
1 313
|
|
|
|
|
AMC1117-3.3SKFT |
|
|
|
|
|
|
|
|
AMC1117-3.3SKT |
|
|
ADD MICROTECH CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AMC1117-3.3SKT |
|
|
ADD MICROTECH CORPORATION
|
558
|
|
|
|
|
AMC1117-3.3SKT |
|
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/63V 2525 HP3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В
|
HIT-AIC
|
|
|
|
|
|
LG063M2200BPF-2235 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
LG063M2200BPF-2235 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LG063M2200BPF-2235 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
314
|
48.45
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
671
|
31.50
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
441
|
24.00
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
192
|
57.07
|
|