VS-40EPF06PBF

Версия для печати

Технические характеристики VS-40EPF06PBF

Производитель	VISHAY
Количество в упаковке	25 шт.
Вес	7.160 г
Bag Type	600 В
Tape Width - Max	1 x 40 А
Bushing Thread	180 нс
Число шагов	1.25 В
Technology	1
Корпус (размер)	TO-247AC
Рабочая температура	-40...150 °C
	Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 40 A

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LB11880	Контроллер	SANYO
LB11880	Контроллер	SAN
LB11880	Контроллер			157.68
LB11880	Контроллер	ТАИЛАНД
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIR
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FSC
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	Fairchild Optoelectronics Group
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ГОНКОНГ
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIRCHILD
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ONS
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ONS-FAIR
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...		1 616	39.40
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ON SEMICONDUCTOR	12	41.95
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	0.00
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	YOUTAI	14 929	19.85
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	UMW	1 920	20.66
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	UMW-YOUTAI
STTH2003CFP		ST MICROELECTRONICS
STTH2003CFP		ST MICROELECTRONICS SEMI	44
STTH2003CFP		STMicroelectronics
STTH2003CFP			7	227.04
STTH2003CFP		1
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...		806	56.10
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОДОН
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ	216	108.24
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МЕЗОН
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ХАБАРОВСК
К561ИЕ8	Десятичный счетчик делитель. Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НЗПП
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		532	31.50
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	35.70
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	3 256	36.00
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР