Версия для печати
Технические характеристики SB240

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	40V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	500mV @ 2A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io)	2A
Current - Reverse Leakage @ Vr	500µA @ 40V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AC, DO-15, Axial
Корпус	DO-204AC (DO-15)

SB240 (Диоды Шоттки) Ограничительный диод Шотки Производитель: Vishay SB240 datasheet 92.7 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AP40T03GP		Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт	APEC
		AP40T03GP		Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт			306.00
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1	1.55
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		10 814	2.40
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	12 241
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	2 264	1.10
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	GOODWORK SEMICONDUCTER
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	DC COMPONENTS	1 419	2.88
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS		4	9.60
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	MCC
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	КИТАЙ
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	KINGTRONICS
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	1
		TL431ACZ-AP			ST MICROELECTRONICS
		TL431ACZ-AP					10.00
		TL431ACZ-AP			ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL431ACZ-AP			STMicroelectronics
		TL431ACZ-AP			КИТАЙ
		TVR10391KSY			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TVR10391KSY
		TVR10391KSY			THINKING

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"