|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CNY17-3S |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
CNY17-3S |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CNY17-3S |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
LIT
|
3 940
|
17.92
|
|
|
|
CNY17-3S |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
|
|
|
|
|
|
CNY17-3S |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CNY17-3S |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
CNY17-3S |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
LITE-ON
|
327
|
19.02
|
|
|
|
CNY17-3S |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
CNY17-3S |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
CNY17-3S |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
VISHAY
|
204
|
16.80
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
|
|
937.60
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMSZ5248BT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMSZ5248BT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
MMSZ5248BT1G |
|
|
ONS
|
56
|
27.08
|
|
|
|
MMSZ5248BT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
RX27-1 22 ОМ 10W 5% / SQP10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
RX27-1 24 ОМ 15W 5% / SQP15 |
|
|
|
|
|
|