PMLL4148L.115

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PMLL4148L.115 (NXP)	129	1.86

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C15.115		NXP
BZV55-C15.115
BZV55-C15.115		NEX-NXP
BZV55-C15.115		NEXPERIA
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	SANYO
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)		1	256.68
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	SAN
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	ГЕРМАНИЯ
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	1
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	4-7 НЕДЕЛЬ	785
LM358ADT	Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C	ST MICROELECTRONICS
LM358ADT	Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C			28.00
LM358ADT	Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C	ST MICROELECTRONICS SEMI
LM358ADT	Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C	STMicroelectronics
LM358ADT	Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMENTS
LM358ADT	Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C	4-7 НЕДЕЛЬ	375
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMICONDUCTOR	704	139.50
TCA0372DP1G	ИМС			109.20
TCA0372DP1G	ИМС	ONS
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMIC
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMICONDUCTO
TCA0372DP1G	ИМС	ONSEMICONDUCTOR
TCA0372DP1G	ИМС	4-7 НЕДЕЛЬ	260
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		425	9.20
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	5 992	14.88
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 400	49.59
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000