PDTC143ZU

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
PDTC143ZU	451	1.18
PDTC143ZU (PHILIPS.)	53 332	3-4 недели Цена по запросу
PDTC143ZU	451	1.18

Версия для печати

Технические характеристики PDTC143ZU

Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	200mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTC143Z (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом)

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW

Также в этом файле: PDTC143ZU

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTC143ZU datasheet
92.19Kb
14стр.