IRL2203N
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 60A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 116A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V |
| Power - Max | 180W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL2203NL (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=30V, Rds (on) =7.0mohm, Id=116AРЃРЅ) Также в этом файле: IRL2203NS
Производитель:
|
