IRFB20N50K
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 12A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2870pF @ 25V |
| Power - Max | 280W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB20N50K (Дискретные сигналы) Smps Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000МКФ 10 (8X20)105°C |
|
|
||||||
| 100МКФ 16 (5X11)105°C |
|
|
||||||
| 100МКФ 63 (10X13)105°C |
|
|
||||||
| 220МКФ 63 (10X16)105°C |
|
|
||||||
| 22МКФ 63 (5X11)105°C |
|
|
