|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
|
10 803
|
25.50
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НЗПП
|
112
|
40.34
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НЭВЗ
|
80
|
47.23
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
СЗТП
|
48
|
96.90
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
7200
|
|
|
|
|
|
КВ109А |
|
2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц
|
|
436
|
2.62
|
|
|
|
КВ109А |
|
2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
|
4 200
|
28.00
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
29
|
170.00
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824)
|
|
|
26.40
|
|
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824)
|
КРЕМНИЙ
|
440
|
90.53
|
|
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824)
|
БРЯНСК
|
2 366
|
30.00
|
|
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824)
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
|
1 095
|
28.70
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
2 044
|
85.61
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
7 696
|
32.00
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|