ТИ5-56В

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ТИ5-56В	16	66.88
ТИ5-56В	16	66.88

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1533ИР24			10	1 120.00
1533ИР24		ИНТЕГРАЛ	87	1 183.00
1533ИР24		МИНСК	16	1 300.00
1533ИР24		1
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	RECTIFIER
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	VISHAY
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	PHILIPS
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт		1	108.00
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	PHILIPS	14
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	Vishay/Siliconix
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	STMicroelectronics
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	КИТАЙ
LM317MDTG		ON SEMICONDUCTOR
LM317MDTG			10	68.40
LM317MDTG		ONS
LM317MDTG		ONSEMICONDUCTOR
RX27-1 12 ОМ 5W 5% / SQP5			320	6.36
RX27-1 12 ОМ 5W 5% / SQP5		XIN HUA
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	344	619.92
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80