| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
|
10 292
|
5.52
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
3
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
6162
|
|
|
|
|
|
Д814А |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА
|
|
1 456
|
14.84
|
|
|
|
Д814А |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
Д814А |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д814А |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА
|
ЭКСПОРТ
|
|
|
|
|
|
Д814А |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
Д814А |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА
|
СЗТП
|
26
|
20.66
|
|
|
|
Д814А |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
Д814А |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА
|
33
|
|
|
|
|
|
|
КЛС1-Н90-6800ПФ |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 126
|
33.48
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
26.55
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 451
|
33.48
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
407
|
22.32
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1801
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
290
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-1-330 ОМ 5% |
|
|
|
|
|
|