| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА
|
|
|
4.80
|
|
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
К174ПС1 |
|
Двойной балансный смеситель (преобразователи частоты) для работы в радиоприемных ...
|
|
268
|
107.75
|
|
|
|
|
К174ПС1 |
|
Двойной балансный смеситель (преобразователи частоты) для работы в радиоприемных ...
|
ДЕЛЬТА
|
|
|
|
|
|
|
К174ПС1 |
|
Двойной балансный смеситель (преобразователи частоты) для работы в радиоприемных ...
|
ДОДЕКА
|
|
|
|
|
|
|
К174ПС1 |
|
Двойной балансный смеситель (преобразователи частоты) для работы в радиоприемных ...
|
ДИСК
|
|
|
|
|
|
|
К73-16-630-0.022 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.022 мкФ 630 В
|
|
|
21.44
|
|
|
|
|
К73-16-630-0.022 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.022 мкФ 630 В
|
КЗК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
44
|
46.85
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
222
|
75.60
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
30
|
96.09
|
|
|
|
|
ТАН37-220-50К |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
