КСОТ-1Г-250В-510 ПФ 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BARONS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BI TECHNOLOGIES
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``			56.00
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	Bourns Inc
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	КИТАЙ
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOCHEN	1 588	18.31
7806 (7806С)		БРЯНСК
LQH43M-181-1000 МКГН 10%
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA	1 440	26.57
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR	7 003	20.00
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
КСОТ-2Г-500В-1000 ПФ 2%