К50-35-40В-470 МКФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SN74AC573DW	SO20	TEXAS INSTRUMENTS
SN74AC573DW	SO20	TEXAS INSTRUMENTS
SN74AC573DW	SO20		12	83.70
SN74AC573DW	SO20	TEXAS
SN74AC573DW	SO20	4-7 НЕДЕЛЬ
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А		45 932	2.98
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	RUS
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	СЗТП	80	12.49
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	ФОТОН
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КПТ-8 ТЕРМОПАСТА ТЮБИК 17 ГР.		ПИМ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		13	14.40
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	2 026	33.48
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240
С2-33Н-2-120 ОМ-5%			148	15.12