К50-12-25В-2000 МКФ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
К50-12-25В-2000 МКФ	216	14.08

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
Д-58-Н				624.00
К50-32-450В-47МКФ
КД202В	Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц		2 002	25.50
КД202В	Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц	СТАРТ
КД202В	Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц	СЗТП	80	81.60
КД202В	Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц	П/П 2
КД202В	Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц	RUS
КД202В	Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц	РОССИЯ
КС512А	Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт			34.40
КС512А	Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
КС512А	Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт	НОВОСИБИРСК
КС512А	Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт	RUS
КС512А	Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт	НЗПП
КС512А	Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт	СЗТП
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		701	27.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	4 049	36.00
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	40.34
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР