|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
301-021-12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
XINYA
|
7 427
|
12.37
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
NXU
|
4 640
|
19.68
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
XINLAIYA
|
1 084
|
12.94
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS
|
80
|
107.10
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
|
1 008
|
26.35
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
WEEN
|
1 175
|
80.51
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
1
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
КИТАЙ
|
800
|
25.50
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
США
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
AD1
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
|
5
|
228.80
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
RUS
|
|
|
|