ZVN2110G

Версия для печати

Технические характеристики ZVN2110G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	500mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	75pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZVN2110G (MOSFET)

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Производитель:
Zetex

ZVN2110G datasheet
43.6 Кб