TN2106N3-G
N-channel enhancement-mode vertical dmos fet
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 60 |
| RDS(ON) 4.5 В,мОм | 5000 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 2500 |
| ID,А | 0.3 |
| PWT,Вт | 0.74 |
| Корпус | TO-92 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TN2106N3-G (MOSFET) N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
Производитель:
|
