STP8NM60


N-channel 650 v@tjmax, 0.9 ?, 8 a mdmesh™ power mosfet to-220

Купить STP8NM60 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STP8NM60
Версия для печати

Технические характеристики STP8NM60

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
Power - Max100W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP8NM60 (MOSFET)

N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220

Производитель:
STMicroelectronics

STP8NM60 datasheet
559.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход