STP6NK90Z

Версия для печати

Технические характеристики STP6NK90Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1350pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP6NK90Z (MOSFET)

N-channel 900V - 1.56? - 5.8A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP6NK90Z datasheet
481.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель
NCP1219BD100R2G		ONS
NCP1219BD100R2G		ON Semiconductor
NCP1219BD100R2G
SJ010M2200B5S-1022	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В	YAGEO
SJ010M2200B5S-1022	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SJ010M2200B5S-1022	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SY010M3300B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 10 В	YAGEO
SY010M3300B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 10 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SY010M3300B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 10 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SY016M2200B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В	YAGEO
SY016M2200B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SY016M2200B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
ZD-193 ОЛОВООТСОС		ZD
ZD-193 ОЛОВООТСОС