STP5NK100Z

Версия для печати

Технические характеристики STP5NK100Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 Ohm @ 1.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	59nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1154pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP5NK100Z (MOSFET)

N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP5NK100Z datasheet
439.2 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOSHIBA	80	128.83
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)		1	226.80
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOS
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	МАЛАЙЗИЯ
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	JAPAN
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRONICS	33	12.60
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRONICS SEMI
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	STMicroelectronics
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	КИТАЙ
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A		8
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRO
BYG23M-E3/TR		VISHAY	662	15.21
BYG23M-E3/TR		Vishay/General Semiconductor
BYG23M-E3/TR			1	86.94
LP2951		UTC
RC0805FR-07475RL		PHYCOMP
RC0805FR-07475RL		YAGEO	159 478	0.60 >1000 шт. 0.12
RC0805FR-07475RL		PHYCOMP	3 636
RC0805FR-07475RL		YAGEO
RC0805FR-07475RL