STGW100N30
Высокоскоростной igbt-транзистор на 330 в, 10 а
|
Версия для печати
| VCES,В | 330 |
| IC(TC=100°C),А | 45 |
| PWT,Вт | 250 |
| VCE(sat),В | 2.6 |
| Диод | Нет |
| tr (тип.),мкс | 0.06 |
| td(off) (тип.),мкс | 0.2 |
| tf (тип.),мкс | 0.11 |
| Корпус | TO-247 |
| TA,°C | от -55 до 150 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STGW100N30 (IGBT) Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А
Производитель:
|
