STGB19NC60S
Быстрый igbt-транзистор на 600 в, 20 а
Версия для печати
Технические характеристики STGB19NC60S
| Корпус | D2-PAK |
| tf (тип.),мкс | 0.29 |
| td(off) (тип.),мкс | 0.245 |
| tr (тип.),мкс | 0.0062 |
| td(on) (тип.),мкс | 0.0175 |
| Диод | Нет |
| VCE(sat),В | 1.9 |
| PWT,Вт | 125 |
| IC(TC=100°C),А | 20 |
| VCES,В | 600 |
| TA,°C | от -55 до -150 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
STGB19NC60S (IGBT)
Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 20 А
Производитель:
STMicroelectronics
|
