SiR888DP

Версия для печати

Технические характеристики SiR888DP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5065pF @ 15V
Power - Max	48W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® SO-8
Корпус	PowerPAK® SO-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SiR888DP (MOSFET)

N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

SiR888DP datasheet
138.4 Кб