Si4908DY

Версия для печати

Технические характеристики Si4908DY

Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	355pF @ 20V
Power - Max	1.85W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si4908DY (MOSFET)

Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si4908DY datasheet
101 Кб