Si4890BDY

Версия для печати

Технические характеристики Si4890BDY

FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1535pF @ 15V
Power - Max	5.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si4890BDY (MOSFET)

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si4890BDY datasheet
137.1 Кб