Si1026X

Версия для печати

Технические характеристики Si1026X

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	305mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	30pF @ 25V
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-563
Корпус	SC-89-6

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si1026X (MOSFET)

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si1026X datasheet
110.4 Кб