FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | TrenchMOS™ |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 25A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 79nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4720pF @ 25V |
Power - Max | 250W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
PSMN035-150B (MOSFET) N-канальный полевой транзистор
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MC33368P | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MC33368P | ONS | |||||||
MC33368P | 1 | 333.60 | ||||||
MC33368P | ON SEMICONDUCTOR | 630 | ||||||
MC33368P | 1 | |||||||
PSMN063-150D | N-канальный полевой транзистор | NXP | ||||||
PSMN063-150D | N-канальный полевой транзистор | NXP | ||||||
PSMN063-150D | N-канальный полевой транзистор | PHILIPS | 475 | |||||
PSMN063-150D | N-канальный полевой транзистор | |||||||
PSMN070-200B | N-канальный trenchmos™ транзистор | PHILIPS | ||||||
PSMN070-200B | N-канальный trenchmos™ транзистор | PHILIPS | ||||||
PSMN070-200B | N-канальный trenchmos™ транзистор | NXP | ||||||
PSMN070-200B | N-канальный trenchmos™ транзистор | NXP | 96 | |||||
PSMN070-200B | N-канальный trenchmos™ транзистор |
|