NTR2101P

Версия для печати

Технические характеристики NTR2101P

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1173pF @ 4V
Power - Max	960mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTR2101P (MOSFET)

Small Signal MOSFET ?8.0 V, ?3.7 A, Single P?Channel, SOT?23

Производитель:
ON Semiconductor

NTR2101P datasheet
143 Кб