NTP52N10

Версия для печати

Технические характеристики NTP52N10

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	135nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3150pF @ 25V
Power - Max	214W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB
Product Change Notification	Discontinuance 11/Feb/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTP52N10 (MOSFET)

Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts N?Channel Enhancement Mode TO?220

Производитель:
ON Semiconductor

NTP52N10 datasheet
159.3 Кб