NTJD4401N

Версия для печати

Технические характеристики NTJD4401N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	630mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	46pF @ 20V
Power - Max	270mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTJD4401N (MOSFET)

Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection

Производитель:
ON Semiconductor

NTJD4401N datasheet
80.7 Кб