NTD4809N

Версия для печати

Технические характеристики NTD4809N

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 30A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1456pF @ 12V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTD4809N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTD4809N datasheet
101.5 Кб