IXTT1H100
High voltage mosfet
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 1000 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 11000 |
| ID,А | 1.5 |
| PWT,Вт | 60 |
| Корпус | TO-268 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXTT1H100 (MOSFET) High Voltage MOSFET
Производитель:
|
