IXTQ86N25T
Trench gate power mosfet
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 250 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 37 |
| ID,А | 86 |
| PWT,Вт | 540 |
| Корпус | TO-3P |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXTQ86N25T (MOSFET) Trench Gate Power MOSFET
Производитель:
|
