IXTP1R4N100P


Polar power mosfet

Купить IXTP1R4N100P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTP1R4N100P
Версия для печати

Технические характеристики IXTP1R4N100P

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPolar™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.4A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs17.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds450pF @ 25V
Power - Max63W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTP1R4N100P (MOSFET)

Polar Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTP1R4N100P datasheet
146.5 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход