IXTP05N100

Версия для печати

Технические характеристики IXTP05N100

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 Ohm @ 375mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	750mA
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	260pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTP05N100 (MOSFET)

High Voltage Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTP05N100 datasheet
140 Кб