IXTH1N250


High voltage power mosfet

Купить IXTH1N250 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTH1N250
Версия для печати

Технические характеристики IXTH1N250

ПолярностьN
Каналов,шт1
VDSS,В2500
RDS(ON) 10 В,мОм40000
ID,А1.5
PWT,Вт250
КорпусTO-247AD
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH1N250 (MOSFET)

High Voltage Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTH1N250 datasheet
105.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход