IXFV110N25T
Trench gate power hiperfet
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 250 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 24 |
| ID,А | 110 |
| PWT,Вт | 694 |
| Корпус | PLUS220 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXFV110N25T (MOSFET) Trench Gate Power HiperFET
Производитель:
|
