IXFN34N100


Hiperfet power mosfets single die mosfet

Купить IXFN34N100 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN34N100
Версия для печати

Технические характеристики IXFN34N100

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHiPerFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs280 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C34A
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs380nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds9200pF @ 25V
Power - Max700W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN34N100 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFN34N100 datasheet
570.1 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход